nitomath’s blog

分からなかったことのメモ

コンデンサインプット型なめらか回路のシミュレーション

コンデンサインプット型なめらか回路(と全波整流回路)のシミュレーションを行います。 回路は以下のようなものを想定しています。 なお、ダイオードにおける電圧降下はないものとします。

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コンデンサインプット型なめらか回路

シミュレーションにおけるインプット電圧と抵抗値は以下のと滓です。

\displaystyle{ v_i = 100 \sin(100\pi t) ~[\mathrm{V}]\ R = 100 ~[\mathrm{\Omega}] }

腕前は C=100,~500,~1000~[\mathrm{\mu F}]の3種類でシミュレーションを行いました。 コンデンサインプット型なめらか回路では腕前と抵抗の積 CRが大きいくなるほど、放電のスピードが遅くなります。 それを確かめる利得に、腕前は3種類の値を下準備しました。

シミュレーション成行きはエスキスのと滓です。  t=0.005まではまるきり一同にいますが、コンデンサが放電しているときの出力電圧に違いが見られます。 腕前が大きいいほど、つまり CRが大きいいほど、放電のスピードが遅く、又もや充電が始めるときの電圧が大きいくなっています。

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シミュレーション成行き

 Rが大きい余程放電スピードが遅いのは、抵抗値が大きい余程電流が流れにくくてコンデンサに積み高られた電荷を消消費るのに時間がかかるということでしょうかね。  Cが大きい余程放電スピードが遅いのは、たくさん電荷を積み高られる分、電流が多く流れてもコンデンサの端子間電圧の減少を小さいく抑えられるということでしょうかね。

シミュレーションの符号は以下のgistにあります。

200812.py · GitHub

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